全球存储芯片巨擘、南韩SK海力士(000660.KS)公布,公司正式量产基於第六代10纳米级(1c)LPDDR5X低功耗DRAM的192GB(千兆字节)容量SOCAMM2产品。公司特别强调,该SOCAMM2产品是面向英伟达(NVDA.US) 的Vera Rubin平台设计的。
SOCAMM2是一款将主要适用於智能手机等移动端设备的低功耗内存,针对服务器环境进行优化的内存模块,主要面向下一代AI服务器等应用场景。其搭载基於1c纳米工艺的高集成度DRAM,实现能效最大化。
SK海力士表示,公司采用1c工艺的SOCAMM2,是专为高性能AI运算优化的解决方案。与传统的RDIMM相比,其带宽提升逾两倍,功耗降低75%以上。
此外,该产品可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈问题,SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。
SK海力士补充,随着AI发展从训练转向推理阶段,支持大型语言模型低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案,正备受瞩目。为满足全球云服务供应商(Cloud Service Provider)客户需求,公司提前搭建起稳定的量产体系。
公司称,通过192GB容量SOCAMM2的产品供应,公司建立了面向AI记忆体性能新标准。公司将与全球AI客户紧密合作,成为「客户最信赖的面向AI的存储器解决方案企业」。(da/a)(美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)
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